磁阻效应砷化镓（GaAs）霍尔传感器元件IC芯片

于1964年砷化镓进入实用阶段。可以将砷化镓制成电阻率比硅和锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料，可用于制造集成电路基板，红外探测器由于它的电子迁移率是硅的5-6倍，因此它已被重要地用于制造微波设备和高速数字电路。由砷化镓制成的半导体器件具有高温，高频，低噪音，低温性能，抗辐射能力强的优点。另外，它还可以用于制造转移装置-体效应装置。砷化镓是具有许多优点的半导体材料。但是，用它制成的晶体管放大率小且导热性差，因此不适合制造大功率器件。尽管砷化镓具有优越的性能，但由于它在高温下会分解，因此在技术上要求生长具有理想化学比的高纯度单晶材料。

砷化镓（GaAs）霍尔器件是一种电磁转换磁敏器件，广泛应用于电子，汽车，测量等许多领域。它是半导体磁传感器中最成熟，生产力最高的产品。随着信息家电，计算机，汽车电子，无刷电动机等行业的发展，对霍尔元器件的需求已大大增加。 GaAs霍尔器件具有以下优点：出色的温度特性，良好的输出电压线性度，高输入阻抗和低失调率。

磁阻效应砷化镓霍尔传感器具有比普通霍尔传感器更高的灵敏度和更小的体积（GaAs霍尔传感器可以制成薄膜形式）。目前，磁阻效应广泛应用于磁传感，磁力计，电子罗盘，位置和角度传感器，车辆检测，GPS导航，仪器仪表，磁存储（磁卡，硬盘）等领域。